天眼查App显示，2025年5月13日，「一种带背栅接触的环形内部电路静电保护版图结构」正式进入专利权的授权阶段。申请人为北京伽略电子股份有限公司，该项集成电路设计专利涉及半导体器件中的静电保护技术领域。据专利信息显示，该技术能够显著优化静电泄放时的高压转化效率，并具备自保护功能。发明人为勇智强、岳一伦和孙德玉。

本实用新型提供了一种带背栅接触的环形内部电路静电保护版图结构，包括与输入端相连的电阻R0，以及与电阻R0另一端分别相连的NMOS管NM0、PMOS管PM0和与PM0相连的PMOS管PM1。通过使用背栅接触防止少子进入衬底，避免闩锁效应的同时减小了面积；同时，串联的多晶硅限流电阻能够将静电泄放发生时的高压转化为小电流，具有自保护功能，不具有电流由器件流向电源的风险。此外，箝位结构中的漏极加宽且高阻的环形MOS器件能够快速启动，并承受瞬间高压，进一步提升了器件的安全性与可靠性。

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