天眼查App显示，2025年7月18日，长鑫集电（北京）存储技术有限公司申请的「气相沉积设备」专利正式进入专利权的授权阶段。该项半导体设备专利涉及半导体制备技术领域，据专利信息显示，通过在气体分配结构的侧壁中设置第一加热部并在进气结构体中设置第二加热部，能够实现对气相沉积设备中温度分布的控制，从而通过温度调整控制不同区域反应气体的自由分子碰撞频率，使膜层厚度均匀性获得显著优化。发明人为王庆隆。摘要中指出，该设备包括第一进气口、气体分配结构、进气结构体和承载台，气体分配结构包括底壁和侧壁，底壁上设有多个过气孔，进气结构体设置于底壁和侧壁围合形成的空间内，并设有连通第一进气口与各过气孔的气体通道，第二加热部环绕气体通道设置，通过上述结构提升产品良率并有利于后续工艺执行。

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