天眼查App显示，2025年7月18日，「快恢复二极管及其制作方法」专利正式进入专利的公布阶段。申请人为深圳深爱半导体股份有限公司，该项电子元器件专利涉及快恢复二极管技术领域，涉及一种提升正温度系数的快恢复二极管的反向恢复速度的结构及其制作方法。据专利信息显示，该技术通过在第一外延层中设置浮空区，并优化阳极区与终端区的布局，使得器件性能获得显著优化。发明人为张镜华、魏国栋、陈璐。专利摘要显示，该方案通过优化结构设计，提升了快恢复二极管的反向恢复速度，有助于提升其在高频开关应用中的表现。

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