11月12日消息，据 Chosun Biz 报道，SK 海力士的 HBM4 内存良率已超过 70%，与三星和美光的竞争将更加激烈。

报道称，SK 海力士第六代高带宽内存（HBM4）的产能良率提升至 70% 以上。由于 HBM4 比以往产品更难制造，确保早期产量被视为决定大规模生产竞争力的关键变量。不过，SK 海力士官方尚未正式公布良率数据。

HBM4 是下一代高带宽内存，垂直堆叠多个 DRAM 芯片以提升数据处理速度和带宽。与标准 DRAM 不同，HBM 经历从单个芯片制造到堆叠、封装和最终测试的多个步骤。如果生产良率越低，需要的生产资源就越多，会提高制造成本。

报道提到，行业观察人士重视超 70% 这一数字，在相同计算基础下，将良率从 60% 提高到 70%，在相同生产投入下获得的商品单位数量可以增加约 16.7%。不过，实际生产中必须权衡产品性能、制造成本和客户需求。

在 10 月 28 日的第三季度财报电话会议上，SK 海力士表示，HBM4 在前端和后端流程的良率均为业内最佳之一。该公司表示，HBM4 良率超过了最初的计划，促使公司提高了内部目标。