三星携手美企 Silicon Frontline Technology 改善 3 纳米良率,希望赶超台积电

援引韩媒 Naver 报道,三星已经与美国的 Silicon Frontline Technology 公司合作,以提高其半导体芯片在生产过程中的良率,以便于在 3 纳米工艺上赶超台积电。

报道中称,三星电子先进制程良率非常低,自 5 纳米制程开始一直存在良率问题,在 4 纳米和 3 纳米工艺上情况变得更加糟糕。据传三星 3 纳米解决方案制程自量产以来,良率不超过 20%,量产进度陷入瓶颈。

三星目前在 4 纳米和 5 纳米工艺节点上出现了与产量有关的问题,该公司不希望这个问题再次出现在 3 纳米工艺上。因此希望通过和 Silicon Frontline Technology 公司合作,帮助三星晶圆厂进行前端(front-end)工艺和芯片性能改进。

IT之家了解到,这家美国公司提供芯片鉴定评估和 ESD(静电放电)预防技术。ESD 是造成半导体芯片缺陷的主要原因之一,是由制造过程中设备和金属之间的摩擦造成的。据报道,三星在芯片设计和生产过程中已经与 Silicon Frontline 公司合作了很长时间,并取得了令人满意的结果。该公司现在将在芯片验证过程中使用该公司的技术。

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