三星在去年 12 月宣布开发 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后，于今天宣布已大规模量产 12 纳米工艺的 DDR5 DRAM。

存储芯片行业当前正处于低谷期，三星通过量产 12nm 的 DRAM，希望进一步巩固其在该领域的领先地位。

IT之家从三星新闻稿中获悉，与上一代相比，新芯片的功耗降低了 23%，而晶圆生产率提高了 20%，这意味着芯片尺寸比上一代更小，单个晶圆可以多生产 20% 的芯片。

三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗将使服务器和数据中心运营商能够减少能源消耗和碳足迹。

该芯片还具有 7.2Gbps 的最大速度，这意味着它可以在大约一秒钟内处理 60GB，满足数据中心，AI 和新的计算应用需求。

12nm 节点的实现要归功于三星使用了一种新型高 k 材料，该材料能让芯片准确区分数据信号的差异。

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