美国 GaN 技术厂商 EPC 近日向加州地区法院和 ITC 提起诉讼，声称国产 GaN 芯片龙头英诺赛科侵犯了 EPC 的 4 项专利，并寻求禁售与侵权赔偿。

IT之家在起诉书中看到，EPC 将矛头对准了两名曾在该公司任职的高管。EPC 认为，其首席技术官和销售总监加入英诺赛科后不久，英诺赛科便推出了与 EPC 关键性能指标几乎相同的产品。此外，英诺赛科还展开了进攻性的营销活动，积极向 EPC 公司的客户推销其产品。

EPC 要求获得侵权赔偿，并希望能够禁止英诺赛科公司在美国销售涉及侵权的氮化镓产品。业内人士指出，若 EPC 最终胜诉，英诺赛科等 GaN 企业进军国际市场的策略将不得不做出改变。

英诺赛科成立于 2015 年 12 月，是一家总部位于珠海的 GaN 类器件制造商，产品包括高低压 GaN 电源 IC、功率半导体等，其拥有全球最大的 8 英寸硅基 GaN 晶圆的生产基地。

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