据韩媒 businesskorea 消息，目前三星已经确认将其第五代 HBM3E 产品命名为“Shinebolt”。

韩媒声称，三星已经开始向客户提供这一“Shinebolt”样品来进行质量测试，该样品的规格为 8 层 24GB。此外三星还将很快完成 12 层 36GB 产品的开发。

Shinebolt 的最大数据传输速度（带宽）约比 HBM3 高 50%，达 1.228TB / s，尽管三星的 HBM 开发和生产速度在某种程度上落后于 SK 海力士，但三星仍然计划重新夺回先进内存生产的领先地位。

HBM 的关键在于每层之间的连接方式，三星从 HBM 生产之初就一直采用热压缩非导电薄膜（TC-NCF）工艺，而 SK 海力士则采用的是质量回流成型底部填充（MR-MUF）工艺。当然这二者孰优孰劣依然要交给市场来评判。

由于已经在 HBM 的开发和生产速度上落后于 SK 海力士，三星也开始重新制定战略来夺回市场定位。目前三星正考虑加速开发 HBM 的“混合连接”工艺，从而“改变游戏规则”。

IT之家同时发现，三星内存业务总裁 Lee Jung-bae 此前便已表示：“我们目前正在生产 HBM3，并顺利开发下一代产品 HBM3E，我们将进一步扩大生产 HBM 以满足客户的需求。”

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