瑞财经 张林霞 6月12日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”）向港交所递交上市申请，联席保荐人为中金公司、招银国际。

招股书显示，英诺赛科致力于氮化镓功率半导体行业及生态系统的创新，是全球首家实现量产8英吋硅基氮化镓晶圆的公司，亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司，公司业务包括设计、开发及生产若干类型的氮化镓产品，包括分立器件、集成电路、晶圆及模组。

英诺赛科2023年收入为5.93亿元，占氮化镓功率半导体行业市场份额的33.7%。其氮化镓产品在各应用领域获得客户的认可，使其往绩记录期间实现强劲的收入增长，收入由2021年6822万元增加99.7%至2022年的1.36亿元，并进一步增加335.2%至2023年的5.93亿元。

2021年、2022年及2023年，英诺赛科净亏损分别为33.99亿元、22.05亿元及11.02亿元。经调整净亏损(非香港财务报告准则计量)通过加回就发行予投资者的金融工具确认的负债账面值变动及以权益结算以股份基础的付款开支进行调整，于2021年、2022年及2023年分别为10.81亿元、12.77亿元及10.16亿元，合计为33.74亿元。

3月14日，英飞凌官网发布消息称英飞凌科技股份有限公司(Infineon Technologies AG)将通过其子公司英飞凌科技奥地利股份有限公司(Infineon Technologies Austria AG)对英诺赛科(珠海)科技有限公司(Innoscience(Zhuhai)Technology Company,Ltd.)和英诺赛科美国公司(Innoscience America,Inc.)及其附属子公司提起诉讼。该诉讼目前已向加利福尼亚州北区地方法院提起。

英飞凌表示，其为了防止自己拥有的与氮化镓(GaN)技术相关的美国专利收到侵犯，目前正在寻求永久禁令。涉及起诉的专利权利要求涵盖了氮化镓(GaN)功率半导体器件的核心方面，其中包括可实现英飞凌专有的氮化镓(GaN)器件可靠性和性能的创新。

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