天眼查App显示，北京忆芯科技有限公司于2023年6月29日申请了一项名为“NVMe控制器的NVMe写IO发起电路”的发明专利，并于2024年12月31日公开。该专利涉及存储技术领域，特别是针对NVMe控制器的写IO发起电路进行了创新设计。

该专利的核心技术包括DMA命令生成电路和存储命令生成电路。DMA命令生成电路与DMA传输电路耦合，能够基于接收到的寻址信息生成DMA命令，指示从主机内存到存储设备缓存的数据搬移。存储命令生成电路则与DMA传输电路和存储命令处理单元耦合，在接收到DMA命令处理完成的消息后，生成存储命令，指示从存储设备缓存到闪存的数据搬移。

该技术的亮点在于其独立于CPU的硬件电路设计，将生成DMA命令的任务从CPU卸载，从而显著减轻了CPU的负担，提升了存储设备的整体性能。这一创新不仅提高了数据传输效率，还为未来存储技术的发展提供了新的思路。

北京忆芯科技有限公司位于北京市海淀区，是一家专注于存储技术研发的高科技企业。此次专利的公开，标志着该公司在存储技术领域的技术积累和创新能力得到了进一步体现。

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