天眼查App显示，山东天岳先进科技股份有限公司近日公开了一项发明专利，涉及一种新型的n型碳化硅单晶晶体、n型碳化硅衬底及其在半导体器件中的应用。该发明显著降低了晶体中的贯穿螺型位错密度和层错密度，提升了晶体制备的电阻率均匀性。具体而言，距离籽晶面10毫米以内的部分，边缘10毫米环状范围内的贯穿螺型位错密度低于300每平方厘米，中心130毫米直径范围内的密度低于500每平方厘米，条状层错数量少于100条；而距离籽晶面超过10毫米的部分，边缘40毫米环状范围内的贯穿螺型位错密度低于100每平方厘米，中心130毫米直径范围内的密度低于300每平方厘米，条状层错数量少于5条。这一技术进步不仅提高了n型碳化硅单晶晶体及其衬底的质量和均匀性，也为高性能半导体器件的开发提供了坚实的基础。

风险警告：本文根据网络内容由AI生成，内容仅供参考，不应作为专业建议或决策依据。用户应自行判断和验证信息的准确性和可靠性，本站不承担可能产生的任何风险和责任。内容如有问题，可联系本站删除。