天眼查App显示，广东奔朗新材料股份有限公司与北京科技大学联合研发的一种低界面热阻金刚石基晶圆及其低温键合方法，近日获得发明专利授权（专利号：CN202210482785.5）。该发明属于金刚石和氮化镓键合技术领域，通过等离子体刻蚀处理对金刚石和半导体晶圆表面进行活化，并在其上沉积纳米尺寸的梯度层，包括初始层、过渡层和结束层。初始层选用Ti、Ta、Cr、Ni、W、Mo中的一种或多种，厚度不超过5nm；过渡层厚度不超过10nm；结束层为Ag，厚度不超过15nm。此方法使晶圆在较低温度下实现高键合强度，且具有较低的界面热阻，对键合环境要求较低。该技术有望推动高性能电子器件的发展，特别是在高温和高频应用中表现优异。

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