天眼查App显示，海信家电集团股份有限公司公开了一种新型IGBT（绝缘栅双极型晶体管）结构及其半导体器件。该IGBT结构包括基体、第一导电类型的漂移区、第二导电类型的集电区和浮置区、沟槽栅、以及第一导电类型的发射区和掺杂区。其中，沟槽栅自第二主面向第一主面延伸至漂移区中，浮置区位于两个沟槽栅之间。此外，掺杂区的掺杂浓度高于漂移区，增强了栅极电阻对开通di/dt的控制能力。

这一创新设计显著提升了IGBT的性能，特别是在电流变化率控制方面表现出色。该专利申请号为CN202411393937.X，公布号为CN119300376A，发明人包括张永旺、陈道坤、聂碧颖、储金星、杨晶杰和刘恒。该技术的应用有望在电力电子领域带来更高效、更稳定的解决方案。

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