TCL科技突破薄膜制备技术,提升光电器件性能

天眼查App显示,TCL科技集团股份有限公司近日公开了一项发明专利(专利号:CN202310851793.7),涉及一种新型薄膜及其制备方法。该发明通过使用低浓度硫化氢气体对含有氧化物颗粒的第一膜层进行气氛处理,成功钝化了氧化物颗粒中的缺陷,并精准调控硫化程度。这一创新不仅提高了薄膜的材料稳定性和性能稳定性,还显著增强了载流子迁移率。

此技术的应用将大幅提升光电器件及显示装置的性能,为未来电子产品的发展提供了强有力的支持。TCL科技的这一突破有望推动行业进步,引领新一轮的技术革新。专利公布日期为2025年1月14日,发明人吴劲衡。

这项发明标志着TCL在光电材料领域的重大进展,展示了其在技术创新方面的强大实力。

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