天眼查App显示，近日，扬州扬杰电子科技股份有限公司成功申请了一项名为“一种沟槽式碳化硅场效应晶体管及制备方法”的发明专利（专利号：CN202411410371.7）。该专利涉及半导体技术领域，通过在沟槽区注入高掺杂的P+区，并形成欧姆接触，有效保护了沟槽栅氧化层，避免了电场集中导致的提早击穿问题。这一创新设计不仅提升了器件性能，还降低了生产成本。该专利将于2025年1月14日正式公布，标志着扬州扬杰电子科技在碳化硅半导体领域的技术突破。

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