天眼查App显示，近日，苏州长光华芯光电技术股份有限公司及其下属研究院公布了一项新的半导体刻蚀方法（专利号：CN202411874116.8），该方法显著提升了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的刻蚀效果。发明人李刘晶、王俊等在研究中提出，通过干法浅刻蚀与氧气等离子处理的循环工艺，有效减少了刻蚀过程中的副产物，并提高了凹槽的垂直度。

具体而言，该方法首先在衬底结构上旋涂光刻胶形成光刻胶层，利用光刻工艺制备光刻图案，随后进行干法浅刻蚀和氧气等离子处理，直至达到目标深度的垂直凹槽。这一创新方法不仅优化了刻蚀流程，还大幅提升了刻蚀质量，为半导体制造领域提供了新的解决方案。

此发明专利于2024年12月19日申请，2025年1月21日公开，展示了公司在半导体技术领域的持续创新能力。

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