天眼查App显示，近日，苏州长光华芯光电技术股份有限公司及其合作单位苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司，公开了一项名为“应变有源层及其制备方法、半导体发光结构及其制备方法”的发明专利，专利号为CN202411844952.1。该专利涉及一种新型的应变有源层结构，包括量子阱层及组合势垒层，通过特定的材料组合和层叠方式，优化了半导体发光结构的性能。该技术有望在光电技术领域带来新的应用突破。专利已于2024年12月16日公布，预计将于2025年1月21日正式发布。

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