天眼查App显示，近日，扬州扬杰电子科技股份有限公司成功获得一项名为“一种提高短路鲁棒性的SiCMOSFET及制备方法”的发明专利，专利号为CN202411544376.9，预计将于2025年2月11日正式公布。

关键点：
- 专利类型：发明专利，涉及SiCMOSFET短路鲁棒性提升技术。
- 申请单位：扬州扬杰电子科技股份有限公司。
- 申请时间：2024年10月31日。
- 公布时间：2025年2月11日。
- 发明团队：王正、杨程、裘俊庆、万胜堂、王坤、王毅。
- 专利地址：江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期。

该专利的公布将进一步推动SiCMOSFET技术在高性能电子设备中的应用。

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