中芯国际半导体结构及其形成方法发明专利公布 导语:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司与中芯国际集成电路制造(上海)有限公司联合申请的“半导体结构及其形成方法”发明专利已公布,专利号为CN202310987920.6,预计于2025年2月14日正式公开。

天眼查App显示,关键点:
1. 专利类型:发明专利,涉及半导体技术领域。
2. 申请人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司。
3. 发明人:张伟、冯威。
4. 专利公开时间:2025年2月14日。
5. 申请时间:2023年8月7日。
6. 技术分类:主分类号为H10B41/30。

该专利的公布标志着中芯国际在半导体制造技术领域的进一步创新突破。

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