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中芯国际集成电路制造（北京）有限公司和中芯国际集成电路制造（上海）有限公司于2023年8月15日申请了一项名为“半导体结构的形成方法”的发明专利。该专利在2025年2月21日正式公布，涉及基本电气元件领域。

关键点
- 申请人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
- 发明人：单立冬、仝海跃
- 专利号：CN202311028847.6
- 公布号：CN119495583A
- 申请时间：2023年8月15日
- 公布时间：2025年2月21日
- 地址：北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号
- 专利类型：发明专利
- 分类号：H01L21/66, H01L21/265

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