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中芯国际集成电路制造（北京、上海）有限公司于2025年2月28日公布了其最新的发明专利，涉及半导体结构及其形成方法和电子设备。该专利展示了公司在半导体技术领域的创新进展。

关键点：
- 专利名称：半导体结构、半导体结构的形成方法及电子设备
- 申请时间：2023年8月25日
- 公布时间：2025年2月28日
- 专利号：CN202311090964.5
- 申请人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
- 发明人：张川、王志高、陈星、张宇清、王康杰
- 地址：北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号
- 专利类型：发明专利
- 分类号：H10F39/18, H10F39/12

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