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扬州扬杰电子科技股份有限公司于2025年2月28日公布了其发明专利——一种碳化硅MOSFET器件及制备方法。该专利申请时间为2024年10月31日，涉及关键技术领域H10D30/01等。

关键点
- 专利名称：一种碳化硅MOSFET器件及制备方法
- 专利号：CN202411544378.8
- 公布日期：2025年2月28日
- 申请人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
- 发明人：王正、杨程、裘俊庆、万胜堂、王坤、王毅
- 地址：江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期
- 代理机构：扬州市苏为知识产权代理事务所（普通合伙）
- 邮政编码：225008

如需了解更多详情，请联系扬州扬杰电子科技股份有限公司。

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