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泰科天润半导体科技（北京）有限公司的一项发明专利于2025年3月14日公布，涉及一种低反向恢复干扰平面栅VDMOS及其制备方法。
关键点：
- 专利名称： 一种低反向恢复干扰平面栅VDMOS及其制备方法
- 申请时间： 2024年11月21日
- 公布时间： 2025年3月14日
- 专利类型： 发明专利
- 核心内容： 提出通过构建缓冲区降低器件反向恢复过冲上升沿，减少对外干扰。
- 申请人： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
- 地址： 北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号
- 发明人： 周海、施广彦、胡臻、何佳
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