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山东天岳先进科技股份有限公司近日公布了一项发明专利,涉及一种高质量P型碳化硅晶体及碳化硅衬底的制备技术。该技术显著降低了晶体中的气泡和空洞密度,提升了晶体质量和使用率。
关键点:
- 事件类型:专利公布
- 主体单位:山东天岳先进科技股份有限公司
- 核心内容:高质量P型碳化硅晶体及碳化硅衬底,属于碳化硅材料制备技术领域。
- 关键技术指标:2/3半径区域内气泡或空洞密度低于0.1个/cm²,直径小于10μm;区域外密度低于1个/cm²,直径小于100μm。
- 申请时间:2024年12月03日
- 公布时间:2025年03月14日
- 专利号:CN202411758466.8
- 地址:山东省济南市槐荫区天岳南路99号
如有进一步咨询,可联系山东天岳先进科技股份有限公司。
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