天眼查App显示，普冉半导体（上海）股份有限公司近日申请了一项名为“存储芯片的漏电处理方法”的发明专利，旨在解决栅极到漏极漏电问题，提升芯片良率和可靠性。以下是关键信息：

- 专利号：CN202411832081.1
- 申请时间：2024年12月12日
- 公布时间：2025年3月18日
- 专利类型：发明专利
- 发明人：沈杨
- 核心方法：通过磷元素注入工艺优化芯片，降低漏电问题，并进行流片验证。
- 地址：上海市浦东新区申江路5005弄1号9层整层（实际楼层8楼）

该专利技术的实施有望显著提升存储芯片的性能和可靠性，进一步推动半导体行业的技术进步。

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