天眼查App显示，北京天科合达半导体股份有限公司与江苏天科合达半导体有限公司联合申请了一项关于碳化硅晶体生长坩埚结构及系统的发明专利，专利号为CN202411938657.2，预计将于2025年3月21日正式公布。

关键点：
1. 专利内容：该专利针对碳化硅晶体生长坩埚结构进行改进，通过多级生长腔设计，提高碳化硅蒸气的收集与利用效率，同时实现多块晶体的生长。
2. 申请单位：北京天科合达半导体股份有限公司、江苏天科合达半导体有限公司。
3. 申请时间：2024年12月26日。
4. 公布时间：2025年3月21日。
5. 技术领域：晶体生长，具体涉及碳化硅晶体的高效生长系统。

该专利有望提升碳化硅晶体的生产效率，为半导体行业提供技术支持。

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