天眼查App显示，导语： 中芯国际集成电路制造（北京、上海）有限公司发布一项关于静电放电保护结构及其形成方法的发明专利，涉及半导体领域关键技术。

关键点：
- 专利名称：静电放电保护结构及其形成方法
- 申请时间：2023年9月25日
- 公布时间：2025年3月28日
- 专利号：CN202311246193.4
- 核心技术：通过优化轻掺杂区尺寸，降低寄生NPN器件开启电压，提升ESD保护性能
- 地址：北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号
- 代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司

如需了解更多详情，可联系中芯国际或查阅相关专利文件。

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