天眼查App显示，上海川土微电子有限公司近日申请了一项名为“一种高维持电压双向可控硅结构”的发明专利，专利公布时间为2025年4月8日。该专利旨在解决现有SCR结构易引发闩锁效应的问题，通过优化设计提高维持电压。

关键点：
- 专利名称：一种高维持电压双向可控硅结构
- 申请人：上海川土微电子有限公司
- 申请时间：2025年1月2日
- 公布时间：2025年4月8日
- 专利类型：发明专利
- 发明人：郑瑞、沈国平、王鑫
- 专利号：CN202510003999.3
- 地址：上海市青浦区徐泾镇高泾路599号18幢四层401室、五层501室
- 代理机构：上海申君律师事务所

该专利通过降低本征SCR的发射面积，有效提高了维持电压，具有重要的技术应用价值。

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