天眼查App显示，导语： 中芯国际集成电路制造（北京、上海）有限公司于2025年4月8日公布了名为“存储器结构及其形成方法”的发明专利，该专利旨在优化存储单位面积，提升存储技术性能。

关键点：
- 专利号：CN202311287537.6
- 公布时间：2025年4月8日
- 发明人：黄兴凯
- 核心内容：通过在源极层上形成控制栅层、浮栅层及沟道层，缩小存储单位面积。
- 技术优势：控制栅层与浮栅层沿垂直衬底表面依次分布，有效减少存储单元面积。
- 地址：北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号
- 联系代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司

如需了解更多详情，可联系中芯国际或其代理机构。

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