天眼查App显示，上海韦尔半导体股份有限公司近日申请了一项关于共漏极双MOSFET器件的发明专利，专利技术旨在提升器件性能并优化封装工艺。

关键点：
- 专利名称：共漏极双MOSFET器件的制备工艺及共漏极双MOSFET器件
- 申请时间：2024年12月25日
- 公布时间：2025年4月11日
- 申请人：上海韦尔半导体股份有限公司
- 技术亮点：通过在晶圆正面和背面形成对称结构，解决现有工艺问题，生产出性能更优、面积更小、封装性更强的器件。
- 地址：上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层

该专利的公布标志着上海韦尔半导体在半导体器件领域的技术创新迈出重要一步。

免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。