天眼查App显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司及其创新研究院近日获得“半导体发光结构及其制备方法和测试方法”发明专利授权。
关键点：
- 专利号：CN202411886875.6
- 申请时间：2024年12月20日
- 授权时间：2025年4月11日
- 申请人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司、苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
- 核心内容：该专利涉及一种半导体发光结构及其制备和测试方法，结构包括半导体衬底层、有源层及第一电极层，电极层中设有周期性阵列排布的开口，尺寸及间隔均有严格限制。
- 法律状态：2025年1月24日公布，2025年4月11日正式授权。
该专利进一步提升了半导体发光技术的精确性和效率，有望推动相关领域的技术创新。
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