天眼查App显示，导语：山东天岳先进科技股份有限公司近日获得一项关于低缺陷密度碳化硅晶体生长技术的发明专利，专利公布时间为2025年4月15日。

关键点：
1. 专利名称：一种低缺陷密度碳化硅晶体、衬底及生长装置、生长方法。
2. 申请时间：2025年1月26日。
3. 公布时间：2025年4月15日。
4. 技术核心：通过特殊生长装置减少晶体缺陷，小坑或空洞直径＜10μm，密度≤0.5cm⁻²。
5. 申请人：山东天岳先进科技股份有限公司，地址为山东省济南市槐荫区天岳南路99号。
6. 代理机构：北京君慧知识产权代理事务所（普通合伙）。

该专利技术有望提升碳化硅晶体质量，推动相关领域发展。

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