天眼查App显示，2025年5月6日，「等离子体装置和等离子体沉积设备」正式进入专利的公布阶段。申请人为江苏微导纳米科技股份有限公司，该项半导体设备专利涉及等离子体反应腔内非均匀磁场构建技术，用于优化等离子体密度分布。据专利信息显示，该技术能够显著优化等离子体在整个反应腔内的分布均匀性。发明人为李翔、种展鹏、袁红霞、王娟、姚俊。 「本申请提供了一种等离子体装置和等离子体沉积设备。装置包括：等离子体反应腔，包括上电极板和下电极板，上下电极板具有电压差以产生等离子体；以及磁性材料，包括：长度方向沿上电极板的第一侧边方向设置在上电极板的第一边缘区域之上以及长度方向沿下电极板的第一侧边方向设置在下电极板的第一边缘区域之下的第一磁性材料。如此，利用磁性材料在等离子体反应腔内构建非均匀磁场，来改变等离子体反应腔边缘处的等离子密度，从而可以在大面积CCP放电时，降低等离子体反应腔边缘处出现的等离子体峰值，使等离子体在整个等离子体反应腔内的分布更加均匀。」

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