天眼查App显示，2025年5月9日，「一种集成式高压半导体器件结构及其制作方法」正式进入专利权的授权阶段。申请人为无锡新洁能股份有限公司，该项半导体器件专利涉及高压半导体器件结构及其制作方法。据专利信息显示，电路拓扑损耗显著优化，系统效率和集成度提升达突破性进展。发明人为朱袁正、黄薛佺、杨卓、叶鹏、李宗清。

本发明包括N型衬底上的N型外延层，背面设有漏极金属，结构分为M1器件区域、M2器件区域及隔离区。N外延层内排列P型柱，并在其上方设置P型体区，连接不同掺杂的N型和P型源极；M2器件区域设有阈值调整区，器件表面覆盖栅氧化层和多晶硅栅极；介质层分别分布在各区域，M1源极金属和M2源极金属与P型体区的源极相连；隔离区配置二极管，阳极金属与N型源极连接，阴极金属与P型源极连接，或设置第二栅极多晶硅，分别与重掺杂的N型和P型多晶硅及阴阳极金属连接。

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