天眼查App显示，2025年5月9日，「一种半导体发光结构及其制备方法」正式进入专利的公布阶段。申请人为苏州长光华芯光电技术股份有限公司、苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司，该项半导体专利涉及半导体发光结构及其制备方法的技术应用。据专利信息显示，该技术实现显著优化。发明人为李泉灵、王俊、程洋、赵武、闵大勇。

本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法。半导体发光结构包括：半导体衬底层；位于半导体衬底层上的下限制层；位于部分下限制层背离半导体衬底层一侧依次层叠的下波导层、有源层、上波导层和上限制层；绝缘外延层，位于部分下限制层背离半导体衬底层一侧且位于下波导层、有源层、上波导层和上限制层在慢轴方向的两侧；第一隔离槽和第二隔离槽，第一隔离槽和第二隔离槽均沿慢轴方向自上限制层在慢轴方向一侧的绝缘外延层中穿过上限制层并延伸至上限制层在慢轴方向另一侧的绝缘外延层中，第一隔离槽位于第二隔离槽背离后腔面的一侧。

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