天眼查App显示，2025年5月9日，「SOI衬底及其制造方法、SOI功率器件、芯片、电子元件」正式进入专利公布阶段。申请人为芯联集成电路制造股份有限公司，该项半导体技术专利涉及SOI功率器件的性能优化与提升。据专利信息显示，通过引入介电常数较低的第一介质填充埋层中的凹槽结构，显著优化了SOI功率器件的整体性能。发明人为石磊、黄艳、赵晓燕。 「本发明提供了一种SOI衬底及其制造方法、SOI功率器件、芯片、电子元件，所述SOI功率器件包括依次堆叠的第一衬底、埋层及第二衬底；所述第二衬底中设有体区和漂移区，所述体区中设有源端，所述漂移区中设有漏端，栅极结构设于所述体区及所述漂移区表面上；所述漂移区下的埋层中设有若干凹槽，所述凹槽内设有第一介质与所述第二衬底相接触，所述第一介质的介电常数小于所述埋层的介电常数。本发明可提高SOI功率器件的性能。」

免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。