天眼查App显示，2025年5月13日，「一种ESD二级保护电路」正式进入专利权的授权阶段。申请人为北京伽略电子股份有限公司，该项电子电路专利涉及ESD保护技术领域。据专利信息显示，该实用新型能够显著优化电流泄放效果，并有效保护MOS管。发明人为李杏子、赵显西、张琼。

本实用新型提供了一种ESD二级保护电路，包括连接在输入端、输出端之间的电阻R2，一端连接在电阻R2与输出端之间、另一端接地的MOS管M0，一端连接在电阻R2与输入端之间、另一端接地的MOS管M1和一端与MOS管M1相连、另一端接地的电阻R0。其主要创新点在于：针对现有技术的缺陷A，在传统ESD保护结构中加入一个NMOS管M0作为二级保护，对一级保护的信号进行第二次箝位；针对缺陷B，加入一个电阻以利用栅极耦合，确保大电流通过打开MOS管的方式进行泄放，从而保证MOS管的每一根叉指管都会参与电流泄放。

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