天眼查App显示，2025年5月23日，「一种高dv/dt的可控硅集成芯片及其制造方法」正式进入专利公布阶段。申请人为江苏捷捷微电子股份有限公司，该项集成电路专利涉及高dv/dt可控硅集成芯片的设计与制备。据专利信息显示，该技术可显著优化工业领域高频开关中的电压尖峰问题，减少外围保护电路需求，降低电路设计成本及功耗。同时，光触发可控硅设计实现了输入侧与输出侧的电气隔离，提高了抗干扰能力。发明人为陈英杰、唐椿琛。「本发明公开了一种高dv/dt的可控硅集成芯片及其制备方法，包括N型衬底，所述N型衬底上表面设置有第一P型扩散区、第二P型扩散区和第三P型扩散区，所述第三P型扩散区上下两端设置有第一P型扩散区和第二P型扩散区，所述第二P型扩散区上表面靠近所述第一P型扩散区的一侧设置第一N+型扩散区，所述第一P型扩散区上表面设置有第二N+型扩散区，所述第二P型扩散区上表面的一端设置有两个第三N+型扩散区；本发明可以承受工业领域中高频开关引起的电压尖峰，防止误触发，减少了对外围保护电路的需求，减少电路设计成本以及降低电路功耗；光触发可控硅的设计可以将输入侧与输出侧进行电气隔离，提高抗干扰能力。」

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