天眼查App显示，2025年5月27日，「一种碳化硅VDMOS器件电位平衡终端结构及制备方法」正式进入专利公布阶段。申请人为泰科天润半导体科技（北京）有限公司，该项半导体器件专利涉及碳化硅VDMOS器件的电位平衡终端结构及其制备方法。据专利信息显示，该技术能够显著优化器件性能，在保证终端耐压能力的同时节省了终端结构宽度。发明人为周海、陈彤、胡臻和何佳。「本发明提供了一种碳化硅VDMOS器件电位平衡终端结构及制备方法，通过多步工艺形成绝缘介质区、电位传递金属层、高电阻率导体层等关键结构，从而实现终端耐压能力的提升并优化整体结构设计。」

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