天眼查App显示，2025年5月27日，「掩膜的制备方法及其应用」正式进入专利公布阶段。申请人为天合光能股份有限公司，该项太阳能电池领域专利涉及含硅基材的较大深度刻蚀技术。据专利信息显示，通过两次激光处理，能够显著优化刻蚀效果，并降低掩膜的成本。发明人为朱明光、王子港、吴魁艺、刘仲雨。 「掩膜的制备方法及其应用」提供了一种包含以下步骤的技术方案：提供含硅基材；在含硅基材的一侧表面进行第一激光处理，以形成第一图案化掩膜层；对经过第一激光处理的所得物进行第一湿法刻蚀，以使非图案化掩膜层区域被刻蚀；对经过第一湿法刻蚀的所得物进行第一图案化掩膜层的第一去除处理；对去除图案化掩膜层的区域进行第二激光处理，以得到第二图案化掩膜层。该方法工艺简单，无需借助其他工艺，具备成本优势和技术可靠性。

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