天眼查App显示，2025年5月27日，「半导体结构及其制备方法」正式进入专利公布阶段。申请人为芯联集成电路制造股份有限公司，该项集成电路专利涉及半导体器件的制备技术。据专利信息显示，该技术能够显著优化衬底内损缺陷对产品性能的影响，避免良率损失的问题。发明人为尹沛羊、梁昕。本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，包括提供衬底，所述衬底具有测试区域；刻蚀所述衬底，以在所述测试区域内形成凹槽，所述凹槽从所述衬底的表面延伸至所述衬底内；在所述测试区域内形成测试器件，所述测试器件的一部分位于所述凹槽底部的所述衬底上，另一部分位于所述衬底内。通过上述方法，可以有效监控衬底内损对产品性能的影响，提升产品质量和可靠性。

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