天眼查App显示，2025年5月27日，「一种SiO2和IGZO的选择性蚀刻液」正式进入专利的公布阶段。申请人为湖北兴福电子材料股份有限公司，该项新材料专利涉及半导体制造中的选择性蚀刻技术。据专利信息显示，该蚀刻液对SiO2和IGZO的选择比大于500，显著优化了蚀刻效率与材料保护性能，同时组合物具有较长的使用寿命。发明人为谢建、王亮、贺兆波、张庭、叶瑞、彭秋桂、汪凡杰、孟牧麟、吴政和李文飞。本发明公开了一种包含有机溶剂、含氟物质、pH调节剂、钝化剂和余量水的蚀刻液，可实现对SiO2的选择性蚀刻，而对IGZO基本不产生影响。

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