近日，英国南安普敦大学宣布开设全球第二个、欧洲首个分辨率达5纳米以下的尖端电子束光刻（EBL）中心。该中心采用了日本JEOL生产的200kV加速电压直写电子束光刻系统（JEOL JBX-8100 G3），可实现低于5纳米级精细结构分辨率处理，并支持厚至10微米光刻胶中的图案生成。

此设备安装于南安普顿大学专门建造的820平方米洁净室内。英国科学部长帕特里克·瓦兰斯勋爵表示，此举提升了英国在半导体研究领域的国家能力。南安普顿大学马丁·查尔顿教授指出，这一设施将推动量子计算、硅光子学及下一代电子系统领域的发展。

电子束曝光技术起源于20世纪60年代，基于电子显微镜发展而来，具有高分辨率特点，广泛应用于光刻掩模版制作、硅片直写以及纳米科学技术研究。然而，其主要缺点是曝光时间较长，限制了其在量产中的应用。

当前主流厂商包括Raith、NBL、JEOL、NuFlare和IMS Nanofabrication等。其中，JEOL的设备在成熟工艺市场占据较高份额，而NuFlare和IMS则主导高端市场。此外，ASML也通过收购Mapper Lithography进入电子束光刻领域，以开发多电子束检测技术。

尽管部分媒体报道称电子束光刻机可能打破ASML的技术垄断，但实际情况表明，这类设备主要用于学术研究与培训，难以满足大规模芯片量产需求。ASML自身亦在研发电子束相关技术，重点聚焦于缺陷检测而非直接生产。

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