部分存储产品近期出现显著涨价现象，主要由原厂停产导致。深圳一家头部存储模组厂商销售负责人张丽表示，DDR4和DDR3等DRAM产品涨幅明显，其中部分产品一个月内上涨50%，甚至有的涨幅达到100%。

市场研究机构数据显示，截至5月27日的一周内，多款DDR4产品价格环比上涨，例如DDR4 16Gb 3200、DDR4 8Gb 3200及DDR4 8Gb eTT分别上涨3.95%、15%和10%。TrendForce集邦咨询的报告也显示，DDR4颗粒现货价格持续攀升，29日DDR4 8Gb 3200涨幅达4%。

TrendForce分析师许家源指出，三星、美光和SK海力士针对PC及服务器的DDR4和LPDDR4产品陆续发布EOL（终止生产）通知，预计最后发货时间为2026年第一季度至第二季度。此消息引发买方抢购库存，导致4月至5月颗粒现货市场供给紧张，价格大幅上涨。

此外，闪存市场称，因原厂停产部分DDR4、减产LPDDR4X的影响，较低价的DDR5资源在渠道市场愈发难觅，本周渠道DDR5内存条价格也随之上调。同时，NAND Flash中的MLC NAND Flash（容量32Gb及以下）因原厂发出停产通知而涨价，主要用于智能家居、电视等领域。

尽管部分存储产品价格上涨，但整体存储市场尚未因需求增长而出现全面涨价。TrendForce报告显示，今年第一季度NAND Flash供应商因库存压力和终端客户需求下滑，平均销售价格下降15%，出货量减少7%，前五大品牌厂营收合计120.2亿美元，环比下降24%。预计第二季度NAND Flash价格将触底反弹，品牌厂商营收有望增长10%。

业内人士分析，部分存储产品涨价源于原厂转向高性能产品。例如，三星计划将资源集中于DDR5和HBM，美光也在财报中提及HBM销售对毛利率的提升作用。同时，存储技术正向更先进制程迁移，如QLC NAND Flash和HBM成为AI时代的重要选择。

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