天眼查App显示，2025年5月30日，「加热电极制备方法及半导体工艺设备」正式进入专利公布阶段。申请人为北京北方华创微电子装备有限公司，该项半导体工艺专利涉及刻蚀技术与半导体设备制造领域。据专利信息显示，通过该方法可以显著优化线宽负载效应问题，并有效避免因金属残留导致的器件短路现象。发明人为蒋兴宇、沈涛、张德群和董云鹤。 「本申请提供一种加热电极制备方法及半导体工艺设备，该方法包括：刻蚀步，利用图形化掩膜结构，对形成于具有凹槽的绝缘介质层上的金属层进行图形化刻蚀；修整步，去除刻蚀副产物；循环执行刻蚀步和修整步，直至去除金属层未被图形化掩膜结构覆盖的部分，以形成加热电极；其中，凹槽具有在第一方向上相对的两个凹槽侧面，以及凹槽底面；加热电极包括沿第一方向和第二方向间隔排列的多个电极分体，每个电极分体至少叠置于凹槽侧面和凹槽底面；第一方向和第二方向均平行于凹槽底面，且相互垂直。本申请可以解决相关技术中出现线宽的负载效应，以及因金属残留而出现器件短路的问题。」

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