天眼查App显示，2025年5月30日，「半导体器件及其制造方法」正式进入专利公布阶段。申请人为北京北方华创微电子装备有限公司，该项半导体技术专利涉及先进的半导体器件制造工艺。据专利信息显示，该方法能够显著优化半导体器件的性能与可靠性。发明人为李佳阳、孙新、杨光、蒋中伟、吴黎和赵晋荣。 「本公开实施例提供了一种半导体器件的制造方法，在衬底表面上形成至少一个鳍形结构，鳍形结构包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层；从沿预设水平方向的至少一侧对鳍形结构下方的衬底进行刻蚀，以在鳍形结构的下方形成凹槽；在凹槽中填充形成绝缘部；去除第一半导体层和第二半导体层中的一者；在第一半导体层和第二半导体层中的另一者周围形成栅极结构。本公开实施例还提供了一种半导体器件。」

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