天眼查App显示，2025年5月30日，「一种边缘环组件、下电极组件、等离子体处理装置和制备方法」正式进入专利权的授权阶段。申请人为中微半导体设备（上海）股份有限公司，该项半导体设备专利涉及等离子体处理技术领域中的晶圆加工设备优化。据专利信息显示，通过沿周向分布的第二电极显著优化了第一电极上射频功率分布的均匀性，有助于提升聚焦环上方鞘层厚度的均匀性，从而保证晶圆处理的均匀性。发明人为叶如彬、范光伟、田宁、吕翌晟。 「本发明公开了一种边缘环组件、下电极组件、等离子体处理装置和制备方法，该边缘环组件包含：环本体；第一电极，其设置于所述环本体内部；第二电极，其设置于所述环本体内部，所述第二电极位于所述第一电极下方并与其电连接，所述第二电极还与外部的第一功率源连接，所述第一电极与所述第二电极之间具有至少两个电连接点。其优点是：该边缘环组件通过沿周向分布的第二电极提高第一电极上射频功率分布的均匀性，以使第一电极形成更均匀的电场环境，有助于提高聚焦环耦合的功率电压的均匀性，进而提升聚焦环上方鞘层厚度的均匀性，保证晶圆处理的均匀性。」

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