天眼查App显示，2025年5月30日，「功率半导体器件及其制备方法」正式进入专利公布阶段。申请人为芯联集成电路制造股份有限公司，该项功率半导体专利涉及提高器件击穿电压和优化比导通电阻的技术应用。据专利信息显示，技术效果实现了显著优化。发明人为李忠仁、何福秀。

本发明公开了一种功率半导体器件，包括衬底、绝缘掩埋层、漂移区、槽栅结构和槽漏结构等关键组件，并通过至少一个第一沟槽隔离结构进一步提升性能。该设计在增强器件击穿电压的同时，显著优化了器件的比导通电阻，适用于高性能功率半导体领域。

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