天眼查App显示，2025年5月30日，「肖特基二极管及其制作方法」正式进入专利的公布阶段。申请人为吉林华微电子股份有限公司，该项半导体技术专利涉及一种新型肖特基二极管结构及其制作方法。据专利信息显示，通过优化点状沟槽结构的设计，可显著增强未夹断区域的电场强度或重新分布电场，减少载流子隧穿或扩散现象，有效降低器件漏电流，从而解决漏电失效问题并提升性能和可靠性。发明人为刘彦涛。「本申请提供一种肖特基二极管及其制作方法，涉及半导体技术领域。上述肖特基二极管包括第一点状沟槽结构和第二点状沟槽结构，通过额外的电场屏蔽设计，实现电场强度的优化分布，增强夹断效果，提高器件性能与可靠性。」

免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。