天眼查App显示，2025年5月30日，「一种SiC半导体长晶用多孔石墨材料的生产方法」正式进入专利公布阶段。申请人为平顶山东方碳素股份有限公司，该项石墨材料生产技术领域专利涉及多孔石墨材料在SiC半导体长晶中的应用。据专利信息显示，通过使用冲击式气流粉碎机和智能粒度监测系统等技术，显著优化了石墨粉体的质量与均匀性，为后续3D打印奠定了良好基础。此外，在添加剂准备过程中，采用气流分级研磨、磁场辅助搅拌以及在线成分分析系统，确保添加剂均匀分散且比例精准，有效增强和改性产品性能。发明人为樊少璞、杨晓鹏、马二克、张亚东、刘一君。「本发明公开了一种SiC半导体长晶用多孔石墨材料的生产方法，涉及石墨材料生产技术领域。本发明包括以下步骤：原料粉制备：研磨筛选石墨原料，获不同粒径粉体，添加剂准备：选合适添加剂，精确称量配比，粘结剂制备：制备能有效粘结石墨粉体的粘结剂。」

免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。